双向二极管怎么测量，用万用表怎么测量微波炉上的双向高压二极管的好坏

来源：整理时间：2024-05-09 06:10:45 编辑：维修百科手机版

本文目录一览

1，用万用表怎么测量微波炉上的双向高压二极管的好坏
2，如何判断双向二极管好坏
3，双向触发二极管的检测
4，如何测量双向触发二极管DB3
5，双向稳压二极管好坏怎样判别
6，双向二极管怎么测
7，双向二极管怎么测
8，如何检测二极管

1，用万用表怎么测量微波炉上的双向高压二极管的好坏

微波炉高压二极管用指针式万用表测量。万用表测量功能选择电阻挡，挡位选择10k挡，用表笔接在高压二极管的两端，正向电阻≤150kω，反向电阻趋于无穷大。若测得正反电阻都很小或都不通，则该管内部击穿或断路损坏。由于半导体器件的离散性，不同型号的高压二极管测量值有差异是正常现象。由于高压二极管是由多个二极管串联组合而成，指针式万用表低阻挡的测试电压低，所以不能用低阻挡测量。数字万用表受其测量原理的限制，不易用于高压二极管的好会判别测量。

它实际上是由好多二极管叠加在一起制成的，正向是阻也是很大的。因此要用高电阻档。采用测量高压硅堆的方式来测。

用万用表怎么测量微波炉上的双向高压二极管的好坏

2，如何判断双向二极管好坏

1.在稳压管上串接限流电阻(100 欧姆),以0.5w/5v稳压管为例2.在电阻两端并接电压表.3.调节稳压电源到接近0v,通常低于2v即可,4.将串接的稳压管和限流电阻分别接到电源上5观察电压表,如果读数=0.表明未击穿,调节电压输出到压降=1v(击穿电流10ma)6,测量稳压管电压,为稳压电压,此时,改变电源电压+/-1v,电压表读数基本不变,稳压管正常7,稳压管反向,再次重复68,稳压管的动态阻抗约 Δv/ΔI 是重要参数如果细说还有温度等

如何判断双向二极管好坏

3，双向触发二极管的检测

短路没有万用表就可以搞定真要知道好不好只有上电路用用看或者用晶体管特性图示仪

双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，通常是用来触发双向晶闸管。双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路。当瞬态电压超过diac和ubo时，diac迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。其测量方法：（1）将万用表拨于r×1k（或r×10档），因为diac的v（bo）值都20v以上，所以测量正、反向电阻值均为无穷大。（2）按下图接好电路。由兆欧表提供击穿电压，并用直流电压表测量diac的正向转折电压v（bo）。然后调换diac的电极，测出反向转折电压v（br）。最后检查转折电压的对称性。例一：选择zc25-3型兆欧表，将500型万用表拨至50vdc档。被测触发二极管为db3型，其外形与检波二极管相似，管壳呈天蓝色。主要参数是：v（bo）=35v（典型值），峰值脉冲电流ipk=5ma。　　首先用r×1k档测量正、反向电阻均为无穷大。然后按图5.9.19所示方法分两次测得：v（bo）=28.5v，v（br）=28.0v。由此算出⊿v（b）=0.5v＜2v 。该管子的正、反向转折电压较典型值稍低些，但转折电压的对称性很好。例二：测量两只耐压30v的玻封双向触发二极管（具体型号未标出），测量数据整理成表1。说明两只被测管性能良好。

双向触发二极管的检测

4，如何测量双向触发二极管DB3

DB3是双向触发二极管，当DB3二极管的端电压达到20～30V时，就可以达到触发管的转折电压，触发管导通，此时DB3二极管呈负阻状态。了解清楚触发二极管的特点，我们可以用万用表判断DB3的好坏：用万用表的R×1K档，测量DB3正、反向电阻值，正常时其正、反向电阻值均为∞。如果测量DB3正反向电阻值为0或很小，就说明该DB3击穿短路而损坏。更准确的判断DB3的好坏，方法是先将万用表测出市电电压，然后将被测DB3串入万用表的交流电压回路后，接入市电U，读出电压U1，再将DB3的两极对调连接后读出电压U2，如果U1与U2的电压值相同，但与市电U不同，则说明该DB3双向触发二极管的导电性、对称性良好。如果U1与U2相差太大，则说明该DB3导电性不对称。如果U1、U2与U相同时，则说明该DB3内部已短路损坏。如果U1、U2均为0，则说明该DB3内部断路损坏。

5，双向稳压二极管好坏怎样判别

不知道你判别要的双向稳压管是多少伏的.你在你的双向稳压上串一电阻,如1K,然后连接在稳压电源上,稳压电源电压要稍高于稳压二极管电压.然后用万用表量稳压二极管的电压,将稳压二极管调向接上再量,如稳压值对,能稳压,则双向稳压是好的.

允许加在二极管两端反向电压的最大值（一般情况下URM=1/2UBR)。正常工作时二极管两端所加电压最大应小于URM，否则，二极管将会击穿而损坏URM为二极管最高反向工作电压用万用表测其好坏：常用万用表的电阻挡，通过测试二极管正、反向电阻来判断二极管的管脚极性及质量。测小功率二极管时，一般用R乘1K挡或R乘100挡进行测试，不可用别的档位好坏判断：正反电阻相差越大越好----好管，正反电阻都很大-----二极管内部开路，正反电阻均为零----二极管内部已击穿，正反电阻相差不大-----二级管质量不好不能使用

6，双向二极管怎么测

你是否问"双向触发二极管"??? 希望可帮到你~~双向触发二极管的检测（1）正、反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。（2）测量转折电压测量双向触发二极管的转折电压有三种方法（如图3所示）： 1）将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。 2）先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。 3）用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

7，双向二极管怎么测

8，如何检测二极管

1、检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。(c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。B.检测最高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。2、检测双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。3、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测A.用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。4、高频变阻二极管的检测识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。5、变容二极管的检测将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。6、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节能1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给予万用表串接上了1.5V的电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极红表笔所接的为负极。7、红外发光二极管的检测A.判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。B.先测量红个发光二极管的正、反向电阻，通常正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。8、红外接收二极管的检测A.识别管脚极性(a)从外观上识别。常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。(b)先用万用表判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚步为负极，黑表笔所接的管脚为正极。B.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。9、激光二极管的检测A.按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针公略微向右偏转而已。扩展资料用途分类1、检波二极管检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型，所以其结电容较小，工作频率较高。一般都采用锗材料制成。就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。2、整流二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，因此结电容较大，一般为3kHZ以下。最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：硅半导体整流二极管2CZ型、硅桥式整流器QL型、用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。3、限幅二极管二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。4、调制二极管通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。5、混频二极管使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。6、放大二极管用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。7、开关二极管二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。8、变容二极管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显着地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。10、稳压二极管这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW、2CW56等；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。稳压二极管的温度系数α：α表示温度每变化1℃稳压值的变化量。稳定电压小于4V的管子具有负温度系数（属于齐纳击穿），即温度升高时稳定电压值下降（温度使价电子上升较高能量）；稳定电压大于7V的管子具有正温度系数（属于雪崩式击穿），即温度升高时稳定电压值上升（温度使原子振幅加大，阻碍载流子运动）；而稳定电压在4~7V之间的管子，温度系数非常小，近似为零（齐纳击穿和雪崩击穿均有）。11、PIN型二极管（PIN Diode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。12、雪崩二极管(Avalanche Diode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。13、江崎二极管（Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：费米能级位于导带和满带内；空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。14、快速关断（阶跃恢复）二极管(Step Recovary Diode)它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。15、肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。可作为续流二极管，在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。16、阻尼二极管阻尼二极管多用在高频电压电路中，具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BSBS44等。17、瞬变电压抑制二极管TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。18、双基极二极管（单结晶体管）两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。19、发光二极管用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿、蓝单色光。随着技术的进步，近来研制成了白光高亮二极管，形成了LED照明这一新兴产业。还用于VCD、DVD、计算器等显示器上。20、硅功率开关二极管硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。特性分类:点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。1、一般用点接触型二极管这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。2、高反向耐压点接触型二极管是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。3、高反向电阻点接触型二极管正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。4、高传导点接触型二极管它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。参考资料来源：百度百科-二极管

前往百度APP查看回答亲，您好！我是啊雅解惑，很高兴为您服务呢！您的问题我已经看到了喔，正在为您整理答案呢！请您稍等一下喔，非常感谢您的配合！1.普通二极管的检测（1）小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kΩ以上（大功率的其值要小些）。（2）根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的特点可判断二极管的极性。将万用表拨到欧姆挡（—般用R×100或R×1k挡、不要用R×1挡或R×10k挡。因为R×1挡使用电流太大，容易烧毁管子；而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子）。用表笔分别与二极管的两极性相连，测出两阻值，在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相连的一端即为二极管的正极。同理，在所测得阻值较大的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的反向电阻很小，说明二极管内部短路；若正向电阻很大，则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。（3）硅二极管一般正向压降为0.6V～0.7V，锗二极管的正向压降为0.IV～0.3V，所以测量一下二极管的正向导通电压，便可判断被测二极管是硅管还是锗管，其方法是在干电池的—端串一个电阻（lkΩ），同时按极性与二极管相接，使二极管正向导通，这时用万用表测量二极管两端的管压降，如果是0，6V～0.7V即为硅管浊口为0，IV～0，3V即为锗管；若用在路动态测量则更为方便。2.稳压二极管的测量（1）一般使用万用表的低阻挡测量稳压二极管，由于表内电池为⒈5V，这个电压不足以使稳压二极管反向击穿，因而使用低阻挡测量稳压二极管正反向电阻更多5条

如何测量二极管以及判断二极管好坏

不同类型的二极管有不同的检测依据，具体如下：1、检测双向触发二极管的依据：将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。2、检测瞬态电压抑制二极管的依据：用万用表测量管子的好坏对于单要极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。3、检测高频变阻二极管的依据：识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环一端为正极。4、检测单色发光二极管的依据：在万用表外部附接一节能1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给予万用表串接上了1.5V的电压，使检测电压增加至3V（发光二极管的开启电压为2V）。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极红表笔所接的为负极。5、检测激光二极管的依据：按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针公略微向右偏转而已。扩展资料：一、测试二极管是否损坏的依据：单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。　若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。二、二极管的导电特性：1、正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为0.1V，硅管约为0.5V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。2、反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。参考资料来源：百度百科-二极管