MK50992N一5是什么集成电路，集成块ne555p是什么

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1，集成块ne555p是什么
2，我想问一下有谁知道这种集成块
3，你知道什么集成电路调节器吗
4，请高人指点这个集成块是什么型号
5，求救大家来看一下这个是什么芯片有没有资料呀
6，555芯片是什么
7，集成电路各元件介绍

1，集成块ne555p是什么

一般意义上讲，集成块就是指集成电路，集成块是集成电路的实体，也是集成电路的通俗叫法。从字面意思来讲，集成电路是一种电路形式，而集成块则是集成电路的实物反映。NE555P是德州仪器生产的555芯片

集成块ne555p和ne555功能一样。集成块ne555p后缀符号p是封装标注符号，p应代表为双列直插塑封，ne555省略了封装标注符号。

集成块ne555p是什么

2，我想问一下有谁知道这种集成块

是CNE公司（美国厂商）的LM324N型号的放大器，它的生产批号是E0913 估计E是生产车间的代号 0913，091表示是09年1月份，3是它归类的特征码，供你参考

到这里看看 http://www.elecfans.com/article/88/196/2007/200712086311.html

4路运放。CNE是生产厂家。E0913是生产批次。作用是集成电路→信号调理→通用运算放大器。

我想问一下有谁知道这种集成块

3，你知道什么集成电路调节器吗

降压调节器：用来调低DC电压升压调节器：提供一个高于输入电压的输出电压降压－升压调节器（逆转）：产生一个极性与输入电压相反的输出电压回扫式调节器：可以产生一个小于或大于输入电压的输出电压

稳定从发电机出来的电压，起稳压作用。集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“ic”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

你知道什么集成电路调节器吗

4，请高人指点这个集成块是什么型号

从电路图上看，貌似是一个控制电路，集成电路的电源似乎标错了，应该是-5V，这个集成电路应该是555定时器，型号前缀不管是什么，最后都是555，比如 ICM7555 CC7555 LC7555 CH7555 uPC7555 CB7555

注释：（1）有版本作“荍中怪”；

你好！ lc89950是彩电pal／secam两制式色差信号的1h基带延迟集成电路，不好说用其他型号代替。你可以到淘宝网找找看有没有。希望对你有所帮助，望采纳。

宝贝收到喽感觉很不错。大大的超出了我的期望值。真心不错。买之前还犹犹豫豫的。担心会质量不好。但是等拿到宝贝拆开看了看才知道之前的担心完全是没必要。真心不错。以后有需要还会复购的。也会介绍身边的朋友来买的不错好评

求高人指点一集成块型号答： 89C51单片机中文简介AT89C51是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器(FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低电压...百度知道2014-03-061个赞

5，求救大家来看一下这个是什么芯片有没有资料呀

普通的运算放大器，只是偏置电流可调，对某些应用场合有用。对于数字电路说的可编程序功能并不存在。

IMS拥有自主知识产权的的光电传感器专用集成电路，高度集成了一个高速光电传感器要求的所有功能，可为客户量身定做高性能的光电传感器，降低通用型光电开关的生产成本，以低价格实现进口品牌产品的性能。在提高传感器性能及可靠性的同时为您的系统降低成本。IMS_Proxsen 102 是我公司开发的高度集成的光电传感器专用集成电路之一，拥有以下多项特性: * 高可靠性:全通道锁相电路、内置数字滤波器使输出在连续4个脉冲高电平才改变状态，因此传感器很容易区分出是本身发射光还是其他干扰信号，从而提高了传感器的抗干扰性，可有效避免外部光源和电磁干扰等。 * 快速响应时间:IMS的光电传感器的调制频率为20KHz，脉冲宽度5us，响应时间<250us 。 * 有稳定状态输出/指示 (Stability Output/Indicator):稳定状态输出/指示告知用户传感器当前的过量增益处于边缘状态，稳定性可能受影响，需要对传感器进行调整。（比如光路受粉尘影响） * 短路保护功能（Short Circuit Protection）:芯片内建过载保护功能，当输出回路的电流大于预设的值时，过载保护回路可迫使传感器输出回路关闭，达到保护负载和输出回路的目的。 * 启动延时（Power up Delay）:传感器上电时(POWER ON), 其输出在25ms之内不会改变状态，保证传感器输出在上电时不误动作。 * 亮态和暗态模式选择 (Mode Selection):亮态和暗态（light on/dark on）的工作模式可由开关选择。 * 防止相邻多个传感器相互干扰:相邻两个或多个传感器可以在主从模式（Master-Slave Operation)下工作，相邻传感器的发射和接受之间互不干扰，因而无需对光路进行任何调整。

6，555芯片是什么

你这样子问,可能是什么电器坏了,你怀疑是它?555也不是很贵.直接买一个回去换上去.就知道它是好还是坏的.

555 芯片是定时器,是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠，只需要外接几个电阻、电容，就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。555 定时器的内部电路框图和外引脚排列图分别如图 2.9.1 和图 2.9.2 所示。它内部包括两个电压比较器，三个等值串联电阻，一个 RS 触发器，一个放电管 T 及功率输出级。它提供两个基准电压VCC /3 和 2VCC /3。555 定时器的功能主要由两个比较器决定。两个比较器的输出电压控制 RS 触发器和放电管的状态。在电源与地之间加上电压，当 5 脚悬空时，则电压比较器 A1 的反相输入端的电压为 2VCC /3，A2 的同相输入端的电压为VCC /3。若触发输入端 TR 的电压小于VCC /3，则比较器 A2 的输出为 1，可使 RS 触发器置 1，使输出端 OUT=1。如果阈值输入端 TH 的电压大于 2VCC/3，同时 TR 端的电压大于VCC /3，则 A1 的输出为 1，A2 的输出为 0，可将 RS 触发器置 0，使输出为 0 电平。

NE555为8脚时基集成电路. ne555时基电路封形式有两种，一是dip双列直插8脚封装，另一种是sop-8小型（smd）封装形式。其他ha17555、lm555、ca555分属不同的公司生产的产品。内部结构和工作原理都相同。ne555属于cmos工艺制造. 555时基电路是一种使用极为广泛的集成电路.根据外接电路的不同,可作波形发生器,产生方波,锯齿波,窄脉冲等,可作单稳双稳电路,可作定时器比较器等.具体应用电路有数百种之多.但万变不离其宗,这一集成电路在各种应用中的输出,还限于产生电平变化之类的数字类信号,而不是模拟信号555型时基集成电路的引脚功能如下： 1是地线，2是触发，3是输出电平，4是复位，5是控制电压，6是阀值电压，7是放电，8是电源(VDD)。http://www.baidu.com/baidu?word=555%CA%B1%BB%F9%BC%AF%B3%C9%B5%E7%C2%B7%B5%C4%D3%A6%D3%C3&tn=myie2dghttp://www.google.cn/search?q=555%E6%97%B6%E5%9F%BA%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF%E7%9A%84%E5%BA%94%E7%94%A8

7，集成电路各元件介绍

双极型集成电路 bipolar integrated circuit 以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路两类。在数字集成电路的发展过程中，曾出现了多种不同类型的电路形式，典型的双极型数字集成电路主要有晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)，发射极耦合逻辑电路(ECL)，集成注入逻辑电路(I2L)。TTL电路形式发展较早，工艺比较成熟。ECL电路速度快，但功耗大。I2L电路速度较慢，但集成密度高。同金属-氧化物-半导体集成电路相比，双极型集成电路速度快，广泛地应用于模拟集成电路和数字集成电路。在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称为双极型集成电路。　　双极型集成电路是最早制成集成化的电路，出现于1958年。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。　　发展简况　双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的，最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中，曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。 DCTL电路是第一种双极型数字逻辑集成电路，因存在严重的“抢电流”问题(见电阻-晶体管逻辑电路)而不实用。RTL电路是第一种有实用价值的双极型集成电路。早期的数字逻辑系统曾采用过 RTL电路，后因基极输入回路上有电阻存在，限制了开关速度。此外,RTL逻辑电路的抗干扰的性能较差，使用时负载又不能多，因而被淘汰。电阻-电容-晶体管逻辑电路（RCTL）是为了改善RTL电路的开关速度而提出来的，即在RTL电路的电阻上并接电容。实际上 RCTL电路也未得到发展。DTL电路是继 RTL电路之后为提高逻辑电路抗干扰能力而提出来的。DTL电路在线路上采用了电平位移二极管,抗干扰能力可用电平位移二极管的个数来调节。常用的 DTL电路的电平位移二极管，是用两个硅二极管串接而成，其抗干扰能力可提高到1.4伏左右（见二极管-晶体管逻辑电路）。HTL电路是在 DTL电路的基础上派生出来的。HTL电路采用反接的齐纳二极管代替DTL电路的电平位移二极管,使电路的阈值提高到约7.4伏左右(见高阈值逻辑电路)。可变阈值逻辑电路(VTL)也是DTL电路系列中的另一种变形电路。阈值逻辑电路(TLC)是 HTL和VTL逻辑电路的总称。TTL逻辑电路是在DTL逻辑电路基础上演变而来，于1962年研制成功。为了提高开关速度和降低电路功耗,TTL电路在线路结构上经历了三代电路形式的改进(见晶体管-晶体管逻辑电路)。　　以上均属饱和型电路。在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。60年代末和70年代初，人们开始在集成电路中利用熟知的肖特基效应。在TTL电路上制备肖特基势垒二极管,把它并接在原有晶体管的基极和集电极上，使晶体管开关时间缩短到1纳秒左右；带肖特基势垒二极管箝位的TTL门电路的平均传输延迟时间达2～4纳秒。　　肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑电路(STTL)属于第三代 TTL电路。它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法，使晶体管处于临界饱和状态，从而消除和避免了载流子存储效应。与此同时,在TTL电路与非门输出级倒相器的基极引入晶体管分流器，可以改善与非门特性。三极管带有肖特基势垒二极管，可避免进入饱和区，具有高速性能；输出管加上分流器，可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路，已不再属于饱和型集成电路，而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。　　发射极耦合逻辑电路(ECL)是电流型逻辑电路(CML)。这是一种电流开关电路, 电路的晶体管工作在非饱和状态,电路的开关速度比通常TTL电路又快几倍。ECL逻辑电路把电路开关速度提高到 1纳秒左右，大大超过 TTL和STTL电路。ECL电路的出现,使双极型集成电路进入超高速电路范围。　　集成注入逻辑电路 (I2L)又称合并晶体管逻辑电路(MTL)，是70年代研制成的。在双极型集成电路中，I2L电路的集成密度是最高的。　　三层结构逻辑电路(3TL)是1976年中国在I2L电路的基础上改进而成,因有三层结构而得名。3TL逻辑电路采用NPN管为电流源，输出管采用金属做集电极(PNM)，不同于I2L结构。　　多元逻辑电路(DYL)和双层逻辑电路(DLL)，是1978年中国研制成功的新型逻辑电路。DYL逻辑电路线性与或门,能同时实现开关逻辑和线性逻辑处理功能。DLL电路是通过ECL和TTL逻辑电路双信息内部变换来实现电路逻辑功能的。　　此外，在双极型集成电路发展过程中，还有许多其他型式的电路。例如,发射极功能逻辑电路(EFL)、互补晶体管逻辑电路(CTL)、抗辐照互补恒流逻辑电路(C3L)、电流参差逻辑电路(CHL)、三态逻辑电路(TSL)和非阈值逻辑电路(NTL)等。　　特点和原理　双极型集成电路的制造工艺，是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比，具有若干工艺上的特点。　　①　双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造，先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区；然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离，即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。除PN结隔离以外，有时也采用介质隔离或两者混合隔离法（见隔离技术）。　　②　双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常，双极型集成电路中晶体管的集电极，必须从底层向上引出连接点，因而增加了集电极串连电阻，这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻，制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层，简称埋层，是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。其工艺过程是：在 P型硅片上，在预计制作集电极的正下方某一区域里先扩散一层高浓度施主杂质即N+区;而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层。于是，N型外延层将N+区隐埋在下面,再在这一外延层上制作晶体管。　　③　双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺，大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时，制作每方约 150～200欧·厘米的P型扩散电阻。但是,扩散电阻存在阻值误差大、温度系数高和有寄生效应等缺点。除采用扩散电阻外，有时也采用硅单晶体电阻。　　④　双极型集成电路元件间需要互连线，通常为金属铝薄层互连线。单层互连布线时难以避免交叉的位置，必要时可采用浓磷扩散低阻区，简称磷桥连接法。　　⑤　双极型集成电路存在寄生效应。双极型集成电路的纵向NPN晶体管，比分立晶体管多一个P型衬底层和一个PN结。它是三结四层结构。增加的衬底层是所有元件的公共衬底，增加的一个PN结是隔离结(包括衬底结)。双极型集成电路因是三结四层结构而会产生特有的寄生效应：无源寄生效应、扩散电阻的寄生电容和有源寄生效应。隔离电容是集电极N型区与隔离槽或衬底P型区形成的PN结产生的电容。隔离和衬底接最低电位，所以这个电容就是集电极对地的寄生电容。扩散电阻的寄生电容是扩散电阻P型区与集电极外延层N型区产生的PN结电容，也属无源寄生效应。这一PN结电容总是处于反偏置工作状态。有源寄生效应即 PNP寄生晶体管。在电路中，NPN晶体管的基区、集电区（外延层）和衬底构成PNP寄生晶体管。在通常情况下，因PN结隔离，外延层和衬底之间总是反向偏置。只有当电路工作时,NPN管的集电结正偏，寄生PNP管才进入有源区。　　工艺制备　（见彩图）是利用PN结隔离技术制备双极型集成电路倒相器的工艺流程，图中包括一个NPN晶体管和一个负载电阻R。原始材料是直径为75～150毫米掺P型杂质的硅单晶棒，电阻率ρ=10欧·厘米左右。其工艺流程是：先经过切片、研磨和抛光等工艺(是硅片制备工艺)制备成厚度约300～500微米的圆形硅片作为衬底，然后进行外延生长、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊和多次硅片清洗，最后进行表面钝化和成品封装。制作双极型集成电路芯片需要经过 5次氧化，对氧化硅 (SiO2)薄层进行5次光刻，刻蚀出供扩散掺杂用的图形窗口。最后还经过两次光刻，刻蚀出金属铝互连布线和钝化后用于压焊点的窗口。因此，整套双极型集成电路掩模版共有 7块。即使通常省去钝化工艺，也需要进行6次光刻，需要6块掩模版。